シーズテクノ株式会社薄膜全固体電池による安全な大容量蓄電池の実現

当社は、ナノカーボン材料を用いた環境・エネルギー分野の課題解決を使命とし、グラフェンをはじめとするナノカーボン材料とそれを用いた環境・エネルギーデバイスの研究開発を行っています。この中で、マイクロ波プラズマCVDやスパッタリング法の薄膜形成技術を用いた全固体電池の研究開発に注力しています。

大容量負極の形成技術及び薄膜全固体電池作製技術
シーズ

自社の強み：
・グラフェンの直接成膜技術
当社は、独自のマイクロ波プラズマCVD技術を用いて基板上に直接グラフェンを成膜する技術を持っています。この技術を活用して、グラフェン膜を基板に対して水平方向や斜め・垂直方向に成膜することができます。特徴は、①各種基板上に成膜可能（金属や半導体、絶縁物等）、②低温成膜（500℃以下）、③高速成膜（最大0.1nm/sec：水平グラフェン）。
・垂直グラフェンを負極に用いることによる負極の大容量化技術
グラフェンの直接成膜技術を用いて、垂直方向にグラフェンを成膜した構造（カーボンナノウォール：CNW）で負極ないし正極を作製できます。さらに、垂直グラフェンを用いた全固体電池を作製することによって、負極容量として従来の黒鉛の理論容量より10倍以上の容量を得ています。

薄膜全固体電池の研究開発と製品化
共同研究・開発の希望

１．薄膜全固体電池の研究開発
・薄膜全固体電池の大容量化の研究開発
・薄膜全固体電池の欠陥分析と特性安定化の研究開発
２．薄膜全固体電池の製品開発
・大面積薄膜全固体電池の開発
・量産を見据えた薄膜全固体電池のバッチ式ないしロールツーロール式製造技術と製造装置の開発

皆様へのメッセージ
その他（取組内容、メッセージ等）

今後コンソーシアムの中で、会員皆様と当社の技術のシナジーを作り、電池のイノベーション創出に寄与したいと考えています。是非個別の意見交換もさせていただければ幸いです。
また、当社への資金提供等のご支援も歓迎いたします。よろしくお願いいたします。

企業・機関情報

企業・機関名 シーズテクノ株式会社
所在地 本社：〒465-0084 名古屋市名東区西里町２－４３－２，研究開発所：〒463-0018 名古屋市守山区桜坂４－２０６先端技術連携リサーチセンター１２２
ホームページ https://c-stechno.co.jp

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